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姓 名: 郭旗
性 别:
职 务:
职 称: 研究员(自然科学)
通讯地址: 乌鲁木齐市北京南路40号附1号
邮政编码: 830011
电子邮件: guoqi@ms.xjb.ac.cn

简历:

  郭旗,中国科学院“特聘核心骨干”,二级研究员,博士生导师,中国科学院大学教授,中国电子学会会士,享受国务院政府特殊津贴,现任华体汇视讯华体汇视讯理化所固体辐射物理研究室主任。 

主要研究领域: 

  主要从事电子元器件电离辐射效应、损伤机理、试验评估方法等研究。主持国家等课题20余项,发表论文200余篇,申请及授权国家发明专利30余项。获华体汇视讯维吾尔自治区科技突出贡献奖1项,科技进步一等奖4项,二等奖1项,三等奖2项。获华体汇视讯维吾尔自治区“先进工作者”、最美科技工作者,中国电子学会“优秀科技工作者”,中国科学院“朱李月华”优秀教师等荣誉称号。 

  现任华体汇视讯核学会理事长,中国核学会理事,辐射物理分会常务理事,核电子学与核探测技术分会常务理事,中国仿真学会集成微系统建模与仿真专委会委员。
主要荣誉:

1.华体汇视讯维吾尔自治区“先进工作者” 

2.华体汇视讯维吾尔自治区“最美科技工作者” 

3.中国电子学会“优秀科技工作者” 

4.中国科学院“朱李月华”优秀教师 

代表性文章:

[1]Li, YD; Liu, BK; Wen, L; Wei, Y; Zhou, D; Feng, J; Guo, Q.Role of the oxide trapped charges in charge coupled device ionizing radiation-induced dark signal[J].Radiation Physics and Chemistry, 2021. 

[2]Cai Yu Long、Wen Lin、Li Yudong、Guo Qi*、Feng jie、Zhou Dong、Zhang Xiang、Liu Bingkai、Fu Jing. Single-Event effects in pinned photodiode CMOS image sensors: SET and SEL [J]. IEEE Transactions on Nuclear Science, 2020. 

[3]Bingkai Liu、Yudong Li*、Lin Wen、Dong Zhou、Jie Feng、Xiang Zhang、Yulong Cai、Jing Fu、Jiawei Chen、Qi Guo. Study of dark current random telegraph signal in proton-irradiated backside illuminated CMOS image sensors[J]. Results in Physics, 2020, 19:103443. 

[4]Qiwen Zheng,Jiangwei Cui, Liewei Xu, Bingxu Ning, Kai Zhao, Mingjie Shen,Xuefeng Yu, Wu Lu, Chengfa He, Diyuan Ren, and Qi Guo. Total ionizing dose responses of forward body bias ultra-thin body and buried oxide FD-SOI transistors[J]. IEEE Transactions on Nuclear Science,2019. 

[5]Zhang Xiang,Li Yudong, Wen Lin,Zhou Dong,Feng Jie,Ma Lin-Dong,Wang Tian-Hui, Cai Yulong,Wang Zhiming,Guo Qi*. Radiation effects due to 3 MeV proton irradiations on back-side illuminated CMOS image sensors [J].Chinese Physics Letters, 2018. 

研究领域:

1、固体辐射物理

2、微电子与光电子器件辐射效应

3、空间辐射剂量在轨测量

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